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突破封锁!长鑫存储发布GAA技术相关论文,适用于3nm芯片

转自:金融界

本文源自:IT之家

DRAM 芯片制造商长鑫存储(CXMT)近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议(IEDM),发表了一篇论文,展示了环绕式闸极结构(Gate-All-Around,GAA)技术,适用于尖端 3nm 芯片。

突破封锁!长鑫存储发布GAA技术相关论文,适用于3nm芯片
(图片来源网络,侵删)

IT之家注:专利中提及 GAA 技术适用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在内的 3nm 以下芯片,但这并不代表着长鑫存储当前具备制造 3nm 的能力。

根据《南华早报》报道,长鑫存储虽然没有发布相关的样品,但本次论文的发布,引发了行业分析师对该公司下一代内存的广泛关注,表明长鑫在面对美国封锁下,不断加强自主芯片开发能力。

华邦电子的储存芯片专家 Frederick Chen 表示,长鑫存储的进展令人印象深刻,因为代表这家公司不断追赶,缩小在技术方面的差距。

突破封锁!长鑫存储发布GAA技术相关论文,适用于3nm芯片
(图片来源网络,侵删)

长鑫存储发表声明称,该论文描述了与 DRAM 结构和 4F2 设计可行性相关的基础研究,与长鑫存储当前的生产工艺无关,暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。

据长鑫存储***显示,长鑫存储推出了最新 LPDDR5 DRAM 存储芯片,是国内首家推出自主研发生产的 LPDDR5 产品的品牌,实现了国内市场零的突破,同时也令长鑫存储在移动终端市场的产品布局更为多元。

长鑫存储 LPDDR5 系列产品包括 12GB 的 LPDDR5 颗粒,POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片。

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(图片来源网络,侵删)

12GB LPDDR5 芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。

LPDDR5 是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品,它的市场化落地将进一步完善长鑫存储 DRAM 芯片的产品布局。

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